分类: 材料科学 >> 材料科学(综合) 提交时间: 2023-03-18 合作期刊: 《材料研究学报》
摘要: 研究了不同SiC 体积分数原位合成MoSi2-SiC 复合材料在700℃空气中1000 h 的长期氧化行为。结果表明: 复合材料氧化1000 h 后, 均未发生pest 现象。复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2, 原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC 粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料)。复合材料氧化膜相组成仅为非晶SiO2, 材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用, SiC 未发生氧化。材料在700℃下仍发生硅、钼的同时氧化, 因MoO3的挥发较快没有晶须形成,因而在材料表面快速形成一薄层连续、致密的非晶SiO2保护膜, 使材料表现出优异的长期抗氧化性。