短期贮存对金属铜腐蚀电化学行为的影响

作者： 冯林 ¹ 王燕华 ¹ 钟莲 ¹ 王佳 ¹ 李爱娇 ¹ 金晓晓 ¹
作者单位：

1. 中国海洋大学化学化工学院海洋化学理论与工程技术教育部重点实验室青岛 266100
通讯作者： 王燕华
提交时间：2016-11-07 14:09:25

摘要: 采用动电位极化技术（PDS）、电化学交流阻抗谱技术（EIS）、电容测量技术以及阵列电极技术研究了铜的短期贮存对其腐蚀电化学行为的影响。研究表明，金属铜表面膜呈现p型半导体结构，经过短期贮存后载流子浓度减小，腐蚀电位正移，腐蚀电流密度下降，表面膜对腐蚀阴极过程、阳极过程均有抑制作用。铜在NaCl液滴下呈现典型的局部腐蚀特征，经过贮存后，电极表面润湿性减弱，腐蚀活性降低、总体平均腐蚀强度减弱，但是局部腐蚀强度反而增强。

阵列电极短期贮存 Cu Mott-Schottky曲线液滴腐蚀

链接： http://www.jcscp.org/CN/abstract/abstract24696.shtml
分类： 材料科学 >> 材料科学（综合）
引用： ChinaXiv:201611.00337 (或此版本 ChinaXiv:201611.00337V1)
DOI:10.12074/201611.00337V1
CSTR:32003.36.ChinaXiv.201611.00337.V1
推荐引用方式： 冯林,王燕华,钟莲,王佳,李爱娇,金晓晓.(2016).短期贮存对金属铜腐蚀电化学行为的影响.中国腐蚀与防护学报.[ChinaXiv:201611.00337] (点此复制)

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2016-11-07 14:09:25

ChinaXiv:201611.00337V1

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