HCl浓度对多孔硅微结构及Si-H键合的影响后印本

Effect of the Concentration of Hydrochloric Acid on the Microstructure and Si-H Bonds in Porous Silicon

作者： 安红章 ¹ 吴开均 ¹ 肖婷 ² 展长勇 ² 任丁 ^1,2
作者单位：

1. 保密通信重点实验室

2. 辐射物理及技术教育部重点实验室四川大学原子核科学技术研究所
提交时间：2023-03-31 19:56:32

摘要: 采用电化学湿法刻蚀制备了P型多孔硅,通过改变HCl溶液浓度来调整刻蚀液中的氢离子浓度。制备出的多孔硅孔径相同,孔深随着氢离子浓度的提高呈线性增大直至恒定。基于电流突发模型阐述了结构参数的变化:孔径的形成开始于刻蚀的初始阶段,空穴主导了初始阶段的腐蚀,空穴的迁移与消耗过程就是孔径扩张和孔壁形成的过程,该过程与硅片本身的性能密切相关,与氢离子浓度无关,故孔径基本恒定;氢离子浓度的提高加快氢的置换反应直至平衡,从而使反应总速率提高直至恒定,因此孔深先线性增大然后保持恒定;Si-H含量在一定范围内与孔深的变化吻合呈现上升趋势,且键合形式以Si-H2为主。

无机非金属材料 HCl 多孔硅微结构 Si-H 电流突发模型

期刊： 材料研究学报
分类： 材料科学 >> 材料科学（综合）
引用： ChinaXiv:202303.10679 (或此版本 ChinaXiv:202303.10679V1)
DOI:10.12074/202303.10679V1
CSTR:32003.36.ChinaXiv.202303.10679.V1
推荐引用方式： 安红章,吴开均,肖婷,展长勇,任丁.(2023).HCl浓度对多孔硅微结构及Si-H键合的影响.材料研究学报.[ChinaXiv:202303.10679] (点此复制)

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2023-03-31 19:56:32

ChinaXiv:202303.10679V1

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