铪基铁电存储器的数据保持特性研究进展
后印本
Research progresses of data retention in hafnium-based ferroelectric memory devices
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作者：
林运雪
1
陈礼建
2,3
戚佳斌
2
翁泽平
3
曲益明
2
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作者单位：
- 通讯作者：
曲益明
Email:quym@hdsc.com.cn
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提交时间：2026-10-19 14:21:48
摘要: 人工智能技术的迅猛发展与智能化产业的持续升级显著推动了各类存储器的市场需求。铪基铁电非易失性存储器因具有存储密度高、功耗低、工艺兼容性优异、可微缩性强、集成度高及耐久性高等特点而备受关注，但数据保持能力仍是其大规模应用所面临的关键挑战。本文聚焦这一研究领域，综述了近年来铪基铁电存储器在数据保持特性方面的主要研究进展：首先介绍了铪基铁电与反铁电存储器的工作原理及数据保持特性的表征方法；随后分析了影响保持特性的关键机制，包括印记效应和温度效应等；进而通过对比铪基铁电存储器与反铁电存储器，指出二者保持特性的显著差异主要源于不同的自由能模型；最后总结了当前改善数据保持特性的主要技术途径，包括元素掺杂、退火工艺优化及界面工程等。
版本历史
| [V1] |
2026-10-19 14:21:48 |
ChinaXiv:202610.00104V1
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